SN65HVD37D

SN65HVD37D datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SN65HVD37D datasheet

Маркировка

SN65HVD37D
Производитель

TI (Texas Instruments)
Описание

TI (Texas Instruments) SN65HVD37D Comm_code: 85423990 Eccn: EAR99 Lead_time: 42 Pack_quantity: 50 Quantity: 2900 Product Category: RS-485 Interface IC RoHS: yes Data Rate: 20 Mbps Operating Supply Voltage: 3.3 V Supply Current: 720 uA Operating Temperature Range: - 40 C to + 85 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOIC-14 Function: Driver/Receiver Maximum Operating Temperature: + 85 C Minimum Operating Temperature: - 40 C Number of Drivers: 1 Number of Receivers: 1 Shutdown: Yes Factory Pack Quantity: 50
Количество страниц

14 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SN65HVD37D.pdf
Файл формата Pdf 418,68 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

SN65HVD37DОнлайн Компоненты

SN65HVD37DЭИК

SN65HVD37DТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Экспресс доставка электронных компонентов - Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.

Экспресс доставка электронных компонентов

Оптовые поставки с онлайн складов и складов производителей.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.